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爱游戏app官网登录:力拚台积电押宝3纳米GAAFET技术三星3年内良率成关键

作者:超级管理员    来源:本站    发布时间:2018-07-20 11:57    浏览量:1

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  市场研究调查机构TrendForce报告指出,2021年第四季台积电全球芯片代工产业以高达52.1%市场占有率狠甩韩国三星,为了追上台积电三星押注GAAFET技术,并首先用于3纳米节点,6月开始试产,成为全球首家采用GAAFET技术的芯片代工厂。三星资料显示,与5纳米制程相较,GAAFET技术3纳米制程性能提高15%,能耗降低30%,芯片面积减少35%。

  三星近期试产GAAFET技术3纳米制程后,接下来是2023年导入第二代3纳米制程芯片量产,并2025年量产GAAFET技术2纳米制程。反观台积电,下半年量产采用FinFET技术3纳米节点。台积电沿用FinFET技术的原因是成本与稳定性。

  韩国市场人士表示,如果三星GAAFET为主3纳米制程确保良率,就能成为代工市场的游戏规则破坏者。加上台积电日前公布2025年才会导入GAAFET技术2纳米制程,2026年左右发布第一款产品,从2022年底到2025年3年,对三星芯片代工业务来说非常关键。

  近日三星宣布五年内投资半导体等关键产业总计450兆韩元,却面临3纳米制程障碍。与三星相同的是,台积电提高3纳米良率也有困难,原本计划7月开始为英特尔和苹果量产3纳米芯片,GPU大厂英伟达也支付高达90亿美元预付款,采台积电3纳米生产今年发布的GeForce RTX40系列GPU,但良率问题,GeForce RTX40系列GPU最后采5纳米而非3纳米。

  报引导用台湾媒体指出,台积电难确保3纳米预期良率,多次修改技术路线。不过台积电状况三星也有一样遭遇。虽然三星宣称3纳米准备试产,但良率还是过低,一直延后量产进程。韩国市场分析师表示,除非三星为7纳米或更先进制程技术取得更多客户,否则可能加剧投资者对三星业绩的信心不足。


 

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