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性能提高44%三星计划2纳米制程加入背后供电技术

作者:超级管理员    来源:本站    发布时间:2018-07-20 11:57    浏览量:1

  性能提高44%三星计划2纳米制程加入背后供电技术可谓频繁出招。除了3纳米导入全新GAAFET全环绕栅极电晶体架构,已成功量产,照

  韩国媒体The Elec报导,三星计划使用背面供电网络(BSPDN)技术用于2纳米芯片。研究员Park Byung-jae在日前举行的三星技术论坛SEDEX 2022介绍BSPDN细节。从过去高K金属栅极技术到FinFET,接着迈向MBCFET,再到BSPDN,FinFET仍是半导体制程最主流技术,之前称为3D电晶体,是10纳米等级制程关键,三星已转向发展下一代GAAFET。

  三星未来将借由小芯片设计架构,不再采用单个芯片应用同节点制程技术,可连接不同代工厂、不同节点制程各种芯片模组,也称为3D-SOC。BSPDN可解释成小芯片设计演变,原本将逻辑电路和存储器模组整合的现有方案,改成正面具备逻辑运算功能,背面供电或讯号传递。

  值得一提的是,BSPDN并不是首次出现,这一概念于2019年在IMEC研讨会就出现过,到2021年IEDM论文又再次引用。2纳米制程应用BSPDN后,经后端整合设计和逻辑最佳化,可解决FSPDN的前端布线%。


 
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